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<ref name="読売20141008">“[http://www.yomiuri.co.jp/science/20141008-OYT1T50134.html?from=ytop_main1 中村修二教授「開発が偉大でも市場で勝てない」]”. ''読売新聞''. (2014年10月8日) 2014年10月8日閲覧。</ref>
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<ref name=wsj20141007>“[http://blogs.wsj.com/japanrealtime/2014/10/07/nobel-winning-scientist-was-japanese-salaryman-who-fought-employer/ Nobel-Winning Scientist Was Japanese Salaryman Who Fought Employer]”. ''Wall Street Journal''. (2014年10月7日) 2014年10月9日閲覧。{{en icon}}</ref>
Nobel-Winning Scientist Was Japanese Salaryman Who Fought Employer]”. ''Wall Street Journal''. (2014年10月7日) 2014年10月9日閲覧。{{en icon}}</ref>
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2018年5月29日 (火) 00:12時点における版

Shuji NAKAMURA
（中村 修二）
ファイル:Shiju.jpg
人物情報
生誕 (1954-05-22) 1954年5月22日（70歳）[1]
日本の旗 日本愛媛県西宇和郡四ツ浜村字大久（おおく）[2]
居住 アメリカ合衆国の旗 アメリカ合衆国カリフォルニア州
国籍 日本の旗 日本（2005年頃まで）
アメリカ合衆国の旗 アメリカ合衆国[3][4][5][注釈 1]
出身校 徳島大学
学問
研究分野 電子工学、半導体工学
研究機関 日亜化学工業
フロリダ大学
カリフォルニア大学サンタバーバラ校
株式会社SORAA
指導教員 多田修（徳島大学）[6]
学位 徳島大学博士（工学）
主な業績 高輝度青色発光ダイオードの発明、実用。
中村裁判・404特許
ERATO中村不均一結晶プロジェクト
無極性青紫半導体レーザー
影響を受けた人物 福井萬壽夫（徳島大学）[7]
小川信雄（日亜化学工業）[8]
影響を与えた人物 岡本研正（香川大学）[9]
主な受賞歴 仁科記念賞（1996年）
大河内記念賞（1997年）
ミレニアム技術賞（2006年）
アストゥリアス皇太子賞学術・技術研究部門（2008年）
ハーヴェイ賞（2009年）
第63回エミー賞技術開発部門（2011年）
ノーベル物理学賞（2014年）
チャールズ・スターク・ドレイパー賞（2015年）
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ノーベル賞受賞者ノーベル賞
受賞年：2014年
受賞部門：ノーベル物理学賞
受賞理由：高輝度で省電力の白色光源を可能にした青色発光ダイオードの発明

中村 修二（Shuji NAKAMURA、なかむら しゅうじ、1954年（昭和29年）5月22日[1] - ）は、日本出身のアメリカ人技術者、電子工学者[3][4][注釈 1]。博士（工学）（徳島大学、1994年）[10]。日亜化学工業在籍時に、世界に先駆けて実用に供するレベルの高輝度青色発光ダイオードを発明・開発。赤崎勇・天野浩と2014年にノーベル物理学賞を受賞した[11][注釈 2]。日亜化学との訴訟[注釈 3]でも注目を集めた。2000年よりカリフォルニア大学サンタバーバラ校（UCSB）教授。世界初となる無極性青紫半導体レーザーを実現し、大学発ベンチャー「SORAA」も立ち上げた。また、科学技術振興機構のERATO中村不均一結晶プロジェクトの研究統括として、東京理科大学の窒化物半導体による光触媒デバイスの開発にも貢献した[12][13]。

来歴

幼少期

愛媛県西宇和郡四ツ浜村大久（後の瀬戸町、現在の伊方町）生まれ[1]。小さい頃は海や山といった自然の中で遊ぶ子供であった[1]。父親が四国電力に勤めており、仕事の関係で中村が小学2年生の時に大洲市へ転居するが[14]、ここでも山登りを楽しんだ[1]。

1967年に大洲市立喜多小学校を卒業[15]。その後は大洲市立大洲北中学校・愛媛県立大洲高等学校に進む[1]。数学・物理が好きで[16]、図画工作・美術[17]とともに得意であった。しかし、歴史や地理などの暗記物は苦手だった[18]。

中学・高校の6年間は、バレーボール部に入って活動していた[19][20]。中学はキャプテンをしていた兄に強制的に入部させられ、高校では友人から誘われて断れなかったためであり、バレーが好きなわけではなかった[21]。しかしインタビューでは「辛い時にはバレーボールのきつい練習を思い出す」と述べており[20]、著書では自分達でやり方を研究したり工夫したこと、受験勉強に専念せずに部活動を続けたことの意義や、自立精神が養われたことを振り返っている[22]。

徳島大学時代

大学進学にあたり中村は理論物理や数学を志していたが、教師の就職を考慮した助言と改めて思考し直したのちにより工学部を選択[23]。徳島大学工学部電子工学科へ進学する。下宿で専門書を読み耽るとともに、哲学の思索にも時間を割く[24][25]。また、3年生の時に後に妻となる教育学部の同級生の女性と出会い、交際を始めている[26]。

3年生では当時助教授であった福井萬壽夫の固体物性の授業に面白さを感じ、中村は材料物性に興味を持つ[7]。卒業研究では同分野の教授である多田修の研究室に所属し、実験装置の手作りを重視するスタイルを学ぶとともに、溶接や旋盤作業も経験する[16][6][27]。

中村はトップクラスの成績[6]で学部を卒業後、同大学大学院工学研究科修士課程に進学[28]。なお、大学院進学にあたっては大学院に博士課程のある京都大学も受験していたが、1点差で不合格になってしまっていた[28]。大学院1年生の時に結婚し、修了時には子供もいた[16][29]。

大学院修了を控えて松下電器産業の採用試験を受ける。成績は学部・修士とトップで徳大大学院の推薦枠もあり、面接もきちんと受け答えできたが、不採用となる。これについて、指導教授の多田からは卒業研究の論述で理論的なことを書きすぎたためと指摘され、中村自身は材料以外はやりたくないと答えたことも一因と分析している[30]。その後、中村は京セラを受験。この時の面接官は創業者の稲盛和夫で、中村は合格した[31]。しかし、家族の養育の関係から、地元就職を希望。指導教授の多田の斡旋により日亜化学工業を受ける[32][33][34]。採用時期を過ぎていて断られかけたものの、英語の成績が良かったことが幸いして採用された[6]。

エンジニア時代

大学院修了後、日亜化学工業に就職し、開発課に配属される[35]。現場の職人からガラスの曲げ方などを習い、自らの手で実験装置などの改造を行った。これらの経験が、CVD装置の改良に生かされ、後の発明に繋がる。

日亜化学工業時代に商品化したものとしては、ガリウム系半導体ウェハーなどがあったが、ブランド力や知名度が低く売れなかった。その頃、名古屋大学の赤崎勇教授のグループが青色発光ダイオードの実現に絶対不可欠な高純度の窒化ガリウム（GAN）の結晶膜に、世界で初めて実現したという公開された論文を手に入れ、検証実験を繰り返し、基盤となる青色発光ダイオードの原理を学習した結果、まだ実用化できていないものに取り組もうということで、[要検証 – ノート]青色発光ダイオードおよび青色半導体レーザーに挑戦することを決意する。青色発光ダイオードの開発を社長の小川信雄に直訴し、中小企業としては破格の約3億円の開発費用の使用を許される[36]。

中村はまた社長に留学を直談判し[37]、1988年4月から1年間の予定で、アメリカ合衆国のフロリダ大学へ留学する。MOCVD を勉強するための中村の希望であったが、日亜化学としては元々、徳島大学助教授酒井士郎の勧めで、フロリダ大学へ誰か社員を派遣する計画であった[38][39]。中村は修士修了で博士号を持っていなかったため、留学先で研究者として見てもらえず悔しい思いをしており、「コンチクショー」と博士号取得や論文執筆への意欲を新たにした[40]。

1年間の留学後、日亜化学工業に戻り、2億円ほどするMOCVD装置の改造に取り掛かる。なお、2014年に中村修二へのノーベル物理学賞授与が発表されたとき、中村修二はインタビューに応えて「日亜化学の先代社長の小川信雄氏には感謝している。彼の研究支援がなかったらこのノーベル賞はなかった」と述べている[8]。

当時の応用物理学会、研究会などではセレン系に注目が集まっていた一方、ガリウム系の研究会は人数も少なかった。しかし中村は「あれだけ優秀な人たちが取り組んでもうまくいかないならば、むしろ終わったとされる分野に挑んだ方が良い」ということで、ガリウムに着目。その後、青色発光素子であるGaN（窒化ガリウム）の結晶を作製するツーフローMOCVDを発明し、窒化ガリウムによる高輝度青色発光ダイオードの開発に参加した。

スター研究者として

1994年3月、中村は徳島大学大学院工学研究科に博士論文を提出して、博士（工学）の学位を取得した[10]。中村本人は東北大学での取得を希望しており、実際そのチャンスもあったが、会社の都合で地元の徳島大学になったという[41]。

青色発光ダイオードが製品化されて以降、1994年頃から中村は国内外の学会などで多くの講演をこなすことになる[42]。しかし日亜化学工業で給料以外に発明に対して得た報奨金を聞いたアメリカの研究者仲間からは低すぎる対価に甘んじているとして「スレイブ・ナカムラ」（スレイヴ＝奴隷）とあだ名された[43][44][45][46]。

また、1998年11月に東京大学客員教授の誘いが来る。相談を受けた日亜化学常務の小山稔は引き受けることを勧めたが、中村は日亜化学から重要な技術情報が漏れることを恐れ、断る方針を伝えた[47]。小山は中村の日亜化学に対する忠社精神を指摘するとともに、すでに重要な技術は研究の段階から生産現場へ移っていたことから、中村が現場における「“真の進歩”に気が付いていないのではないか」と思ったと回想している[48]。

中村は管理職として研究の現場から離れつつあり[49]、LED関係の開発に目途が立ち、研究テーマの観点からも日亜でやることがなくなりつつあった[50]。中村はアメリカの企業や大学から多くのオファーを受け、「スレイブ・ナカムラでは耐えられない」という思いもあり、娘からの「もったいない」という言葉がきっかけで転身を決意[51]。

1999年12月27日に日亜化学を退社。2000年2月に、半導体関係に強くスティーブン・デンバース教授が誘ってくれた[52]、カリフォルニア大学サンタバーバラ校 (UCSB) ・材料物性工学科[53][54]教授に就任する[55][50]。

日亜化学工業との訴訟

2000年12月にアメリカ・ノースカロライナ州東部地区連邦地方裁判所において、日亜化学工業はトレードシークレット（営業秘密）漏洩の疑いで中村を提訴した[56][57]。裁判終結までの間、中村は米国訴訟におけるディスカバリー制度の対応のため、情報提供や反論の準備にかなりの時間を取られ、研究に支障が生じた[58]。

その後2001年8月23日に、中村が日亜化学工業を提訴[59][60]。中村は、日亜化学工業に対してツーフローMOCVD（通称404特許と呼ばれる）の特許権譲渡および特許の対価の増額を求めて争った（通称「中村裁判」（青色LED訴訟）、詳細は404特許を参照）[61][62]。中村は、「サンタバーバラの自宅や大学の研究室を調べられ、心身ともに疲弊した。裁判を通して続けられる日亜化学の執拗な攻撃をやめさせるために、日本で裁判を起こした」と言う[58]。

日亜化学工業が中村を訴えた米国での訴訟については、2002年10月10日に棄却となる[63]。日本での訴訟では、2004年1月30日に404特許の発明の対価の一部として、東京地裁は日亜化学工業に対して中村に200億円を支払うよう命じた。日亜化学工業側は控訴し、2005年1月11日、東京高等裁判所において、404特許を含む全関連特許などの対価などとして、日亜化学工業側が約8億4000万円を中村に支払うことで和解が成立する[64]。

なお、日亜化学工業は同訴訟中に、量産化に不可欠な技術は、若手の研究員が発見した「アニール」技術であり[65][注釈 4]、すでに存在していた平滑なGaNの膜を得るためのツーフローMOCVDは無価値だと述べており、訴訟終了後には特許権を中村に譲渡することなく放棄している[66]。この控訴審において高裁から示された和解勧告に対し、中村は弁護士とは異なる記者会見を設け「日本の司法は腐っている」と述べた[67][62][注釈 5]。

UCSB、SORAAなどでの活躍

2005年、東京理科大学の大川和宏研究グループとの共同研究による、窒化物半導体を用いた光触媒デバイスを発表[12]。窒化ガリウムの結晶と導線で結んだ白金を電解質水溶液に浸し、窒化ガリウムに光を当てることで電流を発生させ、水を電気分解することによって水素と酸素に分離することに成功した。光を使って水から水素を容易に取り出せることから、新たなエネルギー変換技術として期待されている[13]。

大学では固体照明・エネルギー電子工学センターのディレクター[注釈 6]を務め[68]、2007年にはUCSBにおいて世界初となる無極性青紫半導体レーザーの開発に成功した[69]。

アメリカの大学教授は企業のコンサルティングやベンチャー企業立ち上げも良く行っており、中村もLED電球のベンチャーを立ち上げたり[70]、韓国企業のソウル半導体（英語版）への技術指導や共同研究を行ったりしていた[71][72]。また、中国の大学や企業で名誉教授やアドバイザーを務めるとともに、日本においても鳥取大学・信州大学・徳島大学・愛媛大学・東京農工大学で客員教授を務めている[73][74]。

2006年にGaN-on-GaNの技術を再度挑戦し成功した中村修二は、中村修二を含むUCSBの教授ら3人で2008年にベンチャー企業、SORAAを立ち上げた。SORAAの製品は、世界初の全可視スペクトラムを持つLEDを製造し、演色性が高く自然な白さを生み出す製品として知られている[75]。

米国籍取得とノーベル物理学賞受賞

2014年10月30日、UCSBにて

中村は以前から「ノーベル賞に最も近い男」と言われることもあったが、青色発光ダイオードの開発から20年経っても受賞できず、2013年末には「来年取れなかったら当分無理かもしれない」と恩師の多田にこぼしていた[6]。しかし2014年に赤崎勇・天野浩と共にノーベル物理学賞を受賞することが決定する[注釈 2][11][9]。

なお、アメリカで研究を続ける都合により、中村は2005 - 2006年頃に米市民権を取得していた[3][76]。ノーベル賞受賞者発表時には一般に知られておらず、またプレスリリースにある「American Citizen」の解釈でインターネット上の議論を巻き起こした[77]。

ちなみに受賞後のインタビューにおいて、本人は米国籍を取得したが日本国籍を捨てたわけではないと答えた[4]が、日本の国籍法は自ら他国の国籍を保持した際の二重国籍を認めていないため、本人の意思とは関係なく米国籍の取得時点で日本国籍を自動的に喪失していると考えられる[78]（「帰化#単独日本国籍保持者の他国への帰化」も参照）。

実際、平成26年11月4日『官報』では「アメリカ合衆国人 中村修二 文化勲章を贈与する」とされており、日本人として「文化勲章を授ける」とされた他の6人の文化勲章受章者とは明確に異なる取り扱いがなされている。また、中村は前述のようにノーベル賞受賞時に米国籍取得を話したところ、二重国籍が問題となり日本のパスポート更新ができなくなり取り上げられたという[79]。

履歴

略歴

（客員、顧問、非常勤など）

受賞歴

学術関係の受賞について（主に武田先端知 2006, pp. 15–16やCurriculum Vitaeを参照）

栄典・受勲

著作

学位論文

単著

  • 『考える力、やり抜く力 私の方法』三笠書房、2001年2月。ISBN 4-8379-1872-7。 
  • 『怒りのブレイクスルー－常識に背を向けたとき「青い光」が見えてきた－』ホーム社、2001年4月。ISBN 4-8342-5052-0。 
  • 『21世紀の絶対温度－科学者の眼から見た現代の病巣の構図－』ホーム社、2002年4月。ISBN 4-8342-5064-4。 
  • 『好きなことだけやればいい』バジリコ、2002年4月。ISBN 4-901784-00-5。 
  • 『Wild Dream - 反逆、闘い そして語ろう』ビジネス社、2002年9月。ISBN 4-8284-1005-8。 
  • 『日本の子どもを幸福にする23の提言 Look forward !』小学館、2003年5月。ISBN 4-09-348371-X。 
  • 『「バカになれる男」が勝つ!』三笠書房、2004年1月。ISBN 4-8379-7379-5。 
  • 『負けてたまるか! 青色発光ダイオード開発者の言い分』朝日新聞出版、2004年3月。ISBN 4-02-259848-4。 
  • 『成果を生み出す非常識な仕事術』メディアファクトリー、2004年5月。ISBN 4-8401-1083-2。 
  • 『大好きなことを「仕事」にしよう』ワニブックス、2004年8月。ISBN 4-8470-1550-9。 
  • 『ごめん! 青色LED開発者最後の独白』ダイヤモンド社、2005年7月。ISBN 4-478-70327-2。 

共著

解説

脚注

[脚注の使い方]

注釈

  1. ^ a b 「Shuji Nakamura, American citizen. Born 1954 in Ikata, Japan. 」"The 2014 Nobel Prize in Physics - Press Release" (Press release). Nobelprize.org. 7 October 2014. 2014年10月9日閲覧。中段下参照。
  2. ^ a b 受賞者3人の貢献度は、それぞれ1/3。 - “The Nobel Prize in Physics 2014” (2014年). 2014年10月11日閲覧。
  3. ^ トレードシークレット漏洩の疑いや特許対価を求めた404特許の訴訟
  4. ^ なお、最初にGaNでp型を作成することに成功したのは電子ビームを用いた天野浩であり、長くGaNでp型を実現できずにいた理由を解明したのは中村である (中島林彦 2014, p. 19)。
  5. ^ この発言を受けて、通常は和解内容は非公開が原則であるが、和解による結審の際に裁判所の見解が別途述べられるという異例ずくめの控訴審となった。
  6. ^ 英語で Solid State Lighting & Energy Electronics Center、略称はSSLEEC[68]。
  7. ^ 受賞論文 - Shuji Nakamura, Masayuki Senoh, Takashi Mukai (1993) "P-GaN/N-InGaN/N-GaN Double-Heterostructure Blue-Light-Emitting Diodes". Jpn. J. Appl. Phys. 32(2) No.1A/B pp.L8-L11[84]
  8. ^ 日亜化学の向井孝志、妹尾雅之とグループ受賞[85]。
  9. ^ 受賞論文 - Shuji Nakamura, Masayuki Senoh, Shin-ichi Nagahama, Naruhito Iwasa, Takao Yamada, Toshio Matsushita, Hiroyuki Kiyoku, Yasunobu Sugimoto (1996) "InGaN-Based Multi-Quantum-Well-Structure Laser Diodes" Jpn. J. Appl. Phys. 35(2) Pt.2 No.1B pp.L74-L76[86]
  10. ^ 受賞理由：青色発光半導体デバイスの開発、共同受賞者：赤崎勇・天野浩。
  11. ^ 大型ディスプレーなどの開発で先進的な役割を果たしたことが評価されて

出典

  1. ^ a b c d e f 西伊予エッセイ 2002.
  2. ^ 中村 2002c, p. 106.
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  5. ^ 平成26年11月4日付け『官報』（号外第243号）28頁
  6. ^ a b c d e 「いたずら好きでやんちゃ－徳島大の恩師「感激」」、『四国新聞』、2014年10月8日、23頁。
  7. ^ a b 畠山 2014, p. 186.
  8. ^ a b “中村修二教授「開発が偉大でも市場で勝てない」”. 読売新聞. (2014年10月8日) 2014年10月8日閲覧。
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  10. ^ a b c 中村 1994.
  11. ^ a b “赤崎、天野、中村氏にノーベル賞＝青色LED開発－物理学、日本人6年ぶり”. 時事ドットコム. (2014年10月7日) 2014年10月11日閲覧。
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  13. ^ a b 東京理科大学、科学技術振興機構（2005年10月26日）“「窒化物半導体による水からの水素製造 」 ―クリーンエネルギーからクリーンエネルギーを生み出す―”. 科学技術振興機構. 2018年5月12日閲覧。
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参考文献

関連項目

外部リンク

（インタビュー）

物理学賞
化学賞
生理学・医学賞
文学賞
平和賞
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