主な公開記録

Wikipediaの取得できる記録をまとめて表示しています。 記録の種類、実行した利用者 (大文字小文字は区別)、影響を受けたページ (大文字小文字は区別) による絞り込みができます。

• 2023年4月3日 (月) 07:39 Wind-o-Vail 会話 投稿記録 がページ「速度飽和」を作成しました (←新しいページ: 「ここで述べる飽和速度とは、半導体中の電荷キャリア（一般には電子）が非常に高い電界の存在下で到達する最大速度のことで、このとき半導体は速度飽和状態にあると言われる。 <ref>''Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties'', Peter Y. Yu, Manuel Cardona, pp. 227-228, Springer, New York 2005, {{ISBN|3-540-25470-6}}</ref> <ref>''半導体デバイスの基礎（…」) タグ: 曖昧さ回避ページへのリンク
• 2023年3月31日 (金) 07:31 Wind-o-Vail 会話 投稿記録 がページ「ノート:NMOSロジック」を作成しました (「速度飽和領域」と言うことばについて: 新しい節) タグ: 議論ツール 新規トピック
• 2022年7月8日 (金) 16:43 Wind-o-Vail 会話 投稿記録 がページ「アルファ乗則」を作成しました (←桜井のα乗則へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
• 2022年7月7日 (木) 05:45 Wind-o-Vail 会話 投稿記録 がページ「桜井のα乗則」を作成しました (←新しいページ: 「'''桜井のα乗則'''（さくらいのアルファじょうそく{{Lang-en-short|Sakurai's Alpha-power law}}）とは、MOSFETのドレイン電流特性が微細化に伴う強反転領域でのキャリアの速度飽和の影響により、古典的なドレイン電流の式、 <math>I_{ds} = \frac{1}{2} \mu C_{OX} \frac{W}{L} ( V_{gs} - V_{th} ) ^2 </math> から乖離する現象を、べき数の２を<math>\alpha </math>に置き換え…」)
• 2022年6月1日 (水) 05:57 Wind-o-Vail 会話 投稿記録 がページ「ファイル:MOSFET(Ids-Vds).jpg」を作成しました ({{Information |description=MOSFETのIds-Vds特性 |source= 自作 |date= 2022/06/01 |author= Wind-o-Vail |permission= self |other_versions=none }})
• 2022年6月1日 (水) 05:57 Wind-o-Vail 会話 投稿記録 が ファイル:MOSFET(Ids-Vds).jpg をアップロードしました ({{Information |description=MOSFETのIds-Vds特性 |source= 自作 |date= 2022/06/01 |author= Wind-o-Vail |permission= self |other_versions=none }})
• 2022年3月26日 (土) 15:49 Wind-o-Vail 会話 投稿記録 がページ「ファイル:差動増幅シミュレーション結果その１.jpg」を作成しました ({{Information |description=差動増幅回路のシミュレーション結果 |source= LTSPICEによる結果 |date= 2022/03/27 |author= Wind-o-Vail |permission= 自分で作成 |other_versions=初版 }} {{PD-self}})
• 2022年3月26日 (土) 15:49 Wind-o-Vail 会話 投稿記録 が ファイル:差動増幅シミュレーション結果その１.jpg をアップロードしました ({{Information |description=差動増幅回路のシミュレーション結果 |source= LTSPICEによる結果 |date= 2022/03/27 |author= Wind-o-Vail |permission= 自分で作成 |other_versions=初版 }} {{PD-self}})
• 2022年3月23日 (水) 07:30 Wind-o-Vail 会話 投稿記録 がページ「Wikipedia:Wind-o-Vail/sandbox」を「利用者:Wind-o-Vail/sandbox」に、リダイレクトを残して移動しました
• 2022年3月23日 (水) 07:30 Wind-o-Vail 会話 投稿記録 がリダイレクト「利用者:Wind-o-Vail/sandbox」を上書き削除しました (「Wikipedia:Wind-o-Vail/sandbox」からの移動に伴う削除)
• 2022年3月23日 (水) 07:30 Wind-o-Vail 会話 投稿記録 がページ「萩原良昭」を作成しました (←新しいページ: 「'''萩原 良昭'''（はぎわら よしあき、1948年7月4日 - ）は、日本の科学者、エンジニア、工学者、ならびに発明家。 主にソニー株式会社においてイメージセンサ（撮像デバイス）の研究を行い、デジタルカメラの撮像デバイスの主流となっている埋込フォトダイオード({{lang-en-short|Pinned Photodiode}}) <ref>「埋め込みフォ…」)
• 2022年3月23日 (水) 07:24 Wind-o-Vail 会話 投稿記録 がページ「利用者:Wind-o-Vail/sandbox」を「Wikipedia:Wind-o-Vail/sandbox」に移動しました (新規項目として公開する)
• 2022年3月22日 (火) 03:05 Wind-o-Vail 会話 投稿記録 がページ「ノート:MOSダイオード」を作成しました (反転層の形成時間: 新しい節) タグ: 議論ツール 新規トピック ソースモード
• 2022年3月15日 (火) 15:14 Wind-o-Vail 会話 投稿記録 がページ「利用者:Wind-o-Vail/sandbox」を作成しました (←新しいページ: 「{{User sandbox}} <!-- この行より下を編集してください --> ここで練習できる？」)
• 2022年3月15日 (火) 08:06 Wind-o-Vail 会話 投稿記録 がページ「埋込フォトダイオード」を作成しました (撮像素子受光部表面で発生する暗電流を読み出さないようにしたフォトダイオード) タグ: 参考文献（出典）に関する節がない記事の作成 カテゴリを含まない記事の作成
• 2022年3月9日 (水) 06:54 Wind-o-Vail 会話 投稿記録 がページ「APTO」を作成しました (←新しいページ: 「''' APTO'''（エーピーティーオー、は、かつてIBMのアジア・パシフィックの開発製造の総称であった。 日本ではIBM東京基礎研究所および日本IBM大和事業所、日本IBM藤沢事業所、日本IBM野洲事業所が含まれていた。 1983年に設立され三井信雄が常務取締役開発・製造・事業推進担当として統括した。」) タグ: 小さな記事の作成 参考文献（出典）に関する節がない記事の作成 カテゴリを含まない記事の作成
• 2022年3月4日 (金) 11:37 Wind-o-Vail 会話 投稿記録 がページ「利用者:Wind-o-Vail」を作成しました (はじめまして！　) タグ: ビジュアルエディター
• 2022年2月24日 (木) 07:53 利用者アカウント Wind-o-Vail 会話 投稿記録 が自動的に作成されました