Wind-o-Vailの投稿記録

2023年5月29日 (月)

• 02:332023年5月29日 (月) 02:33 差分 履歴 +9‎ NMOSロジック ‎ →‎概要
• 02:242023年5月29日 (月) 02:24 差分 履歴 −47‎ m NMOSロジック ‎編集の要約なし

2023年5月24日 (水)

• 01:012023年5月24日 (水) 01:01 差分 履歴 +10‎ m NMOSロジック ‎ →‎抵抗器の代わりにMOSFETを使用する

2023年5月15日 (月)

• 01:242023年5月15日 (月) 01:24 差分 履歴 +305‎ 利用者‐会話:PV-BC500 ‎ →‎「エンハンスメントモードn型MOSFETの特性図」について: 返信 タグ: 差し戻し済み 議論ツール 返信

2023年5月13日 (土)

• 03:172023年5月13日 (土) 03:17 差分 履歴 +343‎ 利用者‐会話:PV-BC500 ‎ →‎「エンハンスメントモードn型MOSFETの特性図」について: 返信 タグ: 差し戻し済み 議論ツール 返信
• 02:522023年5月13日 (土) 02:52 差分 履歴 +1,059‎ 利用者‐会話:PV-BC500 ‎ →‎「エンハンスメントモードn型MOSFETの特性図」について: 返信 タグ: 差し戻し済み 議論ツール 返信

2023年5月10日 (水)

• 00:492023年5月10日 (水) 00:49 差分 履歴 +542‎ 利用者‐会話:PV-BC500 ‎ →‎「エンハンスメントモードn型MOSFETの特性図」について: 返信 タグ: 差し戻し済み 議論ツール 返信

2023年5月9日 (火)

• 16:202023年5月9日 (火) 16:20 差分 履歴 +1,143‎ 利用者‐会話:PV-BC500 ‎ →‎「エンハンスメントモードn型MOSFETの特性図」について: 新しい節 タグ: 差し戻し済み 議論ツール 新規トピック

2023年4月7日 (金)

• 14:452023年4月7日 (金) 14:45 差分 履歴 +1‎ m MOSFET ‎ →‎MOSFETの動作: 注釈の挿入箇所を変更した
• 13:382023年4月7日 (金) 13:38 差分 履歴 +204‎ m MOSFET ‎ →‎MOSFETの動作: ジャンクションFETのピンチオフとの違いを明示した
• 13:242023年4月7日 (金) 13:24 差分 履歴 −15‎ m MOSFET ‎ →‎MOSFETの動作: リンク切れのためリンク先を変更
• 07:532023年4月7日 (金) 07:53 差分 履歴 +72‎ m MOSFET ‎ ソースからの電流が拡散電流であることを強調したが、ややくどい説明になったかも…

2023年4月5日 (水)

• 16:262023年4月5日 (水) 16:26 差分 履歴 +297‎ MOSFET ‎ →‎MOSFETの動作
• 16:182023年4月5日 (水) 16:18 差分 履歴 −50‎ 桜井のα乗則 ‎編集の要約なし
• 16:012023年4月5日 (水) 16:01 差分 履歴 +663‎ MOSFET ‎編集の要約なし

2023年4月3日 (月)

• 07:392023年4月3日 (月) 07:39 差分 履歴 +2,683‎ N 速度飽和 ‎ ←新しいページ: 「ここで述べる飽和速度とは、半導体中の電荷キャリア（一般には電子）が非常に高い電界の存在下で到達する最大速度のことで、このとき半導体は速度飽和状態にあると言われる。 <ref>''Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties'', Peter Y. Yu, Manuel Cardona, pp. 227-228, Springer, New York 2005, {{ISBN|3-540-25470-6}}</ref> <ref>''半導体デバイスの基礎（…」 最新 タグ: 曖昧さ回避ページへのリンク

2023年3月31日 (金)

• 15:232023年3月31日 (金) 15:23 差分 履歴 +716‎ ノート:NMOSロジック ‎ →‎「速度飽和領域」と言うことばについて: 返信 タグ: 議論ツール 返信
• 07:312023年3月31日 (金) 07:31 差分 履歴 +1,802‎ N ノート:NMOSロジック ‎ →‎「速度飽和領域」と言うことばについて: 新しい節 タグ: 議論ツール 新規トピック

2023年3月5日 (日)

• 15:482023年3月5日 (日) 15:48 差分 履歴 +801‎ 利用者‐会話:PV-BC500 ‎ →‎「MOSFET」の項目への追加記述に関して: 返信 タグ: 差し戻し済み 議論ツール 返信
• 02:222023年3月5日 (日) 02:22 差分 履歴 +2,036‎ 利用者‐会話:PV-BC500 ‎ →‎「MOSFET」の項目への追加記述に関して: 新しい節 タグ: 差し戻し済み 議論ツール 新規トピック

2023年3月3日 (金)

• 06:102023年3月3日 (金) 06:10 差分 履歴 +41‎ m 萩原良昭 ‎ →‎人物・来歴 最新

2023年3月1日 (水)

• 05:472023年3月1日 (水) 05:47 差分 履歴 −2‎ m 埋込フォトダイオード ‎ →‎Pinned Photodiode
• 05:422023年3月1日 (水) 05:42 差分 履歴 0‎ m 埋込フォトダイオード ‎ →‎埋め込み型フォトダイオード

2023年2月8日 (水)

• 07:482023年2月8日 (水) 07:48 差分 履歴 +1,187‎ 基板バイアス効果 ‎編集の要約なし 最新
• 07:062023年2月8日 (水) 07:06 差分 履歴 +819‎ SOI ‎編集の要約なし

2023年2月7日 (火)

• 05:522023年2月7日 (火) 05:52 差分 履歴 +48‎ 萩原良昭 ‎編集の要約なし
• 05:472023年2月7日 (火) 05:47 差分 履歴 +463‎ 萩原良昭 ‎編集の要約なし

2022年9月22日 (木)

• 08:172022年9月22日 (木) 08:17 差分 履歴 +4‎ m 基板バイアス効果 ‎編集の要約なし

2022年7月26日 (火)

• 07:152022年7月26日 (火) 07:15 差分 履歴 +4‎ m 三井信雄 ‎ →‎IBMにて

2022年7月8日 (金)

• 16:432022年7月8日 (金) 16:43 差分 履歴 +30‎ N アルファ乗則 ‎ ←桜井のα乗則へのリダイレクト 最新 タグ: 新規リダイレクト

2022年7月7日 (木)

• 05:472022年7月7日 (木) 05:47 差分 履歴 +18‎ m 桜井のα乗則 ‎編集の要約なし
• 05:452022年7月7日 (木) 05:45 差分 履歴 +1,940‎ N 桜井のα乗則 ‎ ←新しいページ: 「'''桜井のα乗則'''（さくらいのアルファじょうそく{{Lang-en-short|Sakurai's Alpha-power law}}）とは、MOSFETのドレイン電流特性が微細化に伴う強反転領域でのキャリアの速度飽和の影響により、古典的なドレイン電流の式、 <math>I_{ds} = \frac{1}{2} \mu C_{OX} \frac{W}{L} ( V_{gs} - V_{th} ) ^2 </math> から乖離する現象を、べき数の２を<math>\alpha </math>に置き換え…」

2022年7月6日 (水)

• 08:182022年7月6日 (水) 08:18 差分 履歴 +1,480‎ 利用者:Wind-o-Vail/sandbox ‎編集の要約なし 最新

2022年6月1日 (水)

• 07:082022年6月1日 (水) 07:08 差分 履歴 +116‎ MOSFET ‎ →‎MOSFETの動作
• 06:412022年6月1日 (水) 06:41 差分 履歴 +310‎ MOSダイオード ‎ →‎容量-電圧特性 最新
• 06:202022年6月1日 (水) 06:20 差分 履歴 +231‎ m MOSダイオード ‎ →‎エネルギーバンド図
• 05:392022年6月1日 (水) 05:39 差分 履歴 +18‎ m MOSFET ‎ →‎MOSFETの動作
• 01:192022年6月1日 (水) 01:19 差分 履歴 −72‎ m MOSFET ‎ →‎MOSFETの動作

2022年5月30日 (月)

• 08:402022年5月30日 (月) 08:40 差分 履歴 −82‎ MOSFET ‎ →‎MOSFETの動作

2022年5月29日 (日)

• 17:132022年5月29日 (日) 17:13 差分 履歴 +439‎ MOSFET ‎ →‎バイポーラ・トランジスタとの比較
• 08:252022年5月29日 (日) 08:25 差分 履歴 +953‎ MOSFET ‎ →‎MOSFETの動作

2022年5月9日 (月)

• 07:592022年5月9日 (月) 07:59 差分 履歴 +160‎ 閾値電圧 ‎編集の要約なし 最新
• 07:292022年5月9日 (月) 07:29 差分 履歴 0‎ m MOSFET ‎ →‎MOSFETの動作

2022年5月2日 (月)

• 08:062022年5月2日 (月) 08:06 差分 履歴 +828‎ MOSダイオード ‎ →‎エネルギーバンド図

2022年5月1日 (日)

• 08:472022年5月1日 (日) 08:47 差分 履歴 +3‎ MOSダイオード ‎編集の要約なし
• 08:462022年5月1日 (日) 08:46 差分 履歴 +1,079‎ MOSダイオード ‎ →‎エネルギーバンド図

2022年4月29日 (金)

• 08:202022年4月29日 (金) 08:20 差分 履歴 +1,098‎ MOSFET ‎ →‎バイポーラ・トランジスタとの比較

2022年4月28日 (木)

• 09:022022年4月28日 (木) 09:02 差分 履歴 +475‎ MOSFET ‎ →‎MOSFETの動作

2022年4月23日 (土)

• 06:312022年4月23日 (土) 06:31 差分 履歴 +200‎ スケーリング則 ‎ 臨界指数 へのリダイレクトを解除しました タグ: リダイレクト解除

2022年4月6日 (水)

• 06:322022年4月6日 (水) 06:32 差分 履歴 +25‎ 日本IBM野洲事業所 ‎ →‎野洲研究所