ノート:MOSダイオード

反転層の形成時間

記事中には「さらにゲート電圧が正の方向に大きくなると（図の右側）、酸化膜/p型シリコン界面に少数キャリアである電子が急激に蓄積する（反転）。」とありますが、（MOSダイオードのCV測定をすると分かりますが）孤立したMOSダイオードで結晶性が良く、光も遮断された状態であれば反転層の生成にはかなり長い時間（数秒から数分）かかります。MOSFETで反転層が急速に生成されるのは隣にソースの拡散層があるからです。簡単に反転層ができるようではDRAMのメモリーセルには使えません。MOSFETの動作の説明にも関係するので修正された方が良いかと思います。--Wind-o-Vail（会話） 2022年3月22日 (火) 03:05 (UTC)

具体的に書いた方が良いかと思いますので、私案として記述したものをアップしておきます。

コメントなどありましたらよろしくお願いいたします。--Wind-o-Vail（会話） 2022年3月24日 (木) 03:22 (UTC)