主な公開記録
Wikipediaの取得できる記録をまとめて表示しています。 記録の種類、実行した利用者 (大文字小文字は区別)、影響を受けたページ (大文字小文字は区別) による絞り込みができます。
- 2021年8月1日 (日) 02:07 Jxev\tr 会話 投稿記録 が (なし) から 拡張承認された利用者 に自動的に昇格しました
- 2019年2月9日 (土) 16:03 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「サリサイド」を作成しました (en:Salicide(21:36, 17 October 2017))
- 2019年2月9日 (土) 15:38 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「シリサイド」を作成しました (←ケイ化物へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2019年2月9日 (土) 13:32 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「ケイ化物」を作成しました (en:Silicide(17:03, 6 November 2018)を翻訳)
- 2019年2月9日 (土) 13:29 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「Category:ケイ化物」を作成しました (←新しいページ: 「詳細はケイ化物を参照。 {{デフォルトソート:けいかふつ}} Category:ケイ素の化合物」)
- 2019年2月9日 (土) 09:25 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「浮遊ゲートMOSFET」を作成しました (en:Floating-gate MOSFET( 05:59, 10 May 2018 )を翻訳)
- 2019年2月9日 (土) 07:52 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「UV光」を作成しました (←紫外線へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2019年2月3日 (日) 11:05 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「自己整合ゲート」を作成しました (en:Self-aligned gate(22:48, 12 July 2018)を翻訳)
- 2019年2月3日 (日) 00:51 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「LOCOS」を作成しました (en:LOCOS(22:32, 12 November 2017)を翻訳)
- 2019年1月26日 (土) 23:46 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「トライゲートトランジスタ」を作成しました (←マルチゲート素子へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2019年1月26日 (土) 09:24 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「サブスレッショルド伝導」を作成しました (en:Subthreshold conduction(20:33, 8 July 2018)を翻訳)
- 2019年1月26日 (土) 08:50 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「ドレイン誘起障壁低下」を作成しました (en:Drain-induced barrier lowering(11:04, 14 April 2018)を翻訳)
- 2019年1月26日 (土) 07:02 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「ホットエレクトロン」を作成しました (←ホットキャリア注入へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2019年1月26日 (土) 07:00 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「ホットキャリア注入」を作成しました (en:Hot-carrier injection( 03:53, 6 September 2018)を翻訳)
- 2019年1月19日 (土) 10:21 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「ハードマスク」を作成しました (en:Hardmask(16:23, 28 April 2017)を翻訳) タグ: 参考文献（出典）に関する節がない記事の作成
- 2019年1月19日 (土) 05:46 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「チャネル長変調」を作成しました (en:Channel length modulation(08:08, 7 March 2017)を翻訳)
- 2019年1月16日 (水) 20:48 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「短チャネル効果」を作成しました (en:Short-channel effect(07:53, 16 August 2017)を翻訳)
- 2019年1月16日 (水) 14:00 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「しきい値電圧」を作成しました (←閾値電圧へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2019年1月16日 (水) 14:00 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「スレッショルド電圧」を作成しました (←閾値電圧へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2019年1月16日 (水) 13:59 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「閾値電圧」を作成しました (en:Threshold voltage(18:24, 14 October 2018)を翻訳)
- 2019年1月14日 (月) 13:18 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「オーミック接合」を作成しました (←オーミック接触へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2019年1月14日 (月) 13:14 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「ゲート金属」を作成しました (←メタルゲートへのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2019年1月14日 (月) 13:11 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「金属ゲート」を作成しました (←メタルゲートへのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2019年1月14日 (月) 13:07 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「メタルゲート」を作成しました (en:Metal gate(15:36, 1 December 2018)を翻訳)
- 2019年1月13日 (日) 14:02 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「オーミックコンタクト」を作成しました (←オーミック接触へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2019年1月13日 (日) 14:01 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「オーミック接触」を作成しました (en:Ohmic contact(15:17, 1 March 2018)を翻訳)
- 2019年1月13日 (日) 03:27 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「金属-半導体接合」を作成しました (←金属半導体接合へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2019年1月13日 (日) 03:20 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「金属-半導体電界効果トランジスタ」を作成しました (←MESFETへのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2019年1月13日 (日) 03:20 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「金属半導体接合」を作成しました (en:Metal–semiconductor junction(06:21, 25 June 2018)を翻訳)
- 2019年1月12日 (土) 17:51 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「半導体-半導体接合」を作成しました (←ヘテロ接合へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2019年1月10日 (木) 20:32 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「反転層」を作成しました (←新しいページ: 「半導体における'''反転層'''とは、不純物半導体の表面に少数キャリアが集まってできた層のこと。n型半…」) タグ: 参考文献（出典）に関する節がない記事の作成
- 2019年1月3日 (木) 00:25 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「生成再結合」を作成しました (←キャリア生成と再結合へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2019年1月2日 (水) 03:50 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「質量作用の法則 (半導体)」を作成しました (en:Mass action law (electronics)(20:10, 16 May 2018)を翻訳)
- 2019年1月1日 (火) 22:40 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「電荷キャリア密度」を作成しました (en:Charge carrier density(20:22, 8 November 2018)を翻訳)
- 2018年12月29日 (土) 04:58 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「キャリア生成と再結合」を作成しました (en:Carrier generation and recombination(19:37, 7 November 2018)の最後の節以外を翻訳)
- 2018年12月29日 (土) 00:03 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「深い準位」を作成しました (en:Deep-level trap(18:27, 8 November 2016 )を翻訳) タグ: 参考文献（出典）に関する節がない記事の作成
- 2018年11月23日 (金) 06:27 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「非縮退半導体」を作成しました (←縮退半導体へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2018年11月23日 (金) 06:26 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「縮退半導体」を作成しました (←新しいページ: 「'''縮退半導体'''とは、高濃度の不純物（ドーパント）が添加されたことでフェルミエネルギーが伝導帯や…」) タグ: カテゴリを含まない記事の作成
- 2018年11月17日 (土) 10:52 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「真性キャリア密度」を作成しました (←真性半導体へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2018年11月17日 (土) 09:22 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「有効状態密度」を作成しました (←新しいページ: 「半導体において'''有効状態密度'''とは、伝導帯の電子密度や価電子帯の正孔密度を表すときに用いら…」)
- 2018年11月16日 (金) 10:42 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「自由電子模型」を作成しました (←自由電子へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2018年10月26日 (金) 14:35 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「全周ゲート」を作成しました (←マルチゲート素子へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2018年10月26日 (金) 14:32 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「5ナノメートル」を作成しました (en:5 nanometer(07:12, 11 October 2018)を翻訳)
- 2018年10月19日 (金) 11:13 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「High-K絶縁膜」を作成しました (←High-κ絶縁体へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2018年10月19日 (金) 11:11 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「High-k誘電体」を作成しました (←High-κ絶縁体へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2018年10月19日 (金) 11:11 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「High-k絶縁膜」を作成しました (←High-κ絶縁体へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2018年10月19日 (金) 11:09 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「High-k」を作成しました (←High-κ絶縁体へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2018年10月19日 (金) 11:08 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「高誘電率誘電体」を作成しました (←High-κ絶縁体へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト
- 2018年10月19日 (金) 11:08 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「High-κ絶縁体」を作成しました (en:High-κ dielectric(23:40, 4 July 2018)の翻訳)
- 2018年10月12日 (金) 13:59 Jxev\tr 会話 投稿記録 がページ「酸化ハフニウム」を作成しました (←酸化ハフニウム(IV)へのリダイレクト) タグ: 新規リダイレクト