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MESFET

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』

MESFET（英: metal-semiconductor field effect transistor）は電界効果トランジスタの一種。ショットキー接合性の金属をゲートとして半導体上に形成した構造を持つ。動作原理はpn接合を使用しているJFETと同一である。一般にMESFETは化合物半導体[1]で利用され、シリコンのMOSFETと比較して、高性能を示し、各種のRF素子に利用されている。

脚注

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  1. ^ ヒ化ガリウム（GaAs）、リン化インジウム（InP）、炭化ケイ素（SiC）等

関連項目

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