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ノート:フラッシュメモリ

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消去・書込み可能回数の限度について

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「一般に、商品仕様に記載されている Insertion/Removal 又は 書込み・削除回数は、その回数を越えると不良ブロック発生率が高くなることを示すもので、完全に使用不可能になる回数ではない。」という書込みの追加は、百科事典的に、どうでしょうか？ダメ？ＯＫ？-NewComer 2006年4月16日 (日) 08:12 (UTC)[返信]

Wear levelling というのを発見しました。こちらの日本語版を待つがよろしかろう。-NewComer 2006年4月17日 (月) 08:16 (UTC)[返信]

SLCと比較したMLC・TLCなどの容量増加について

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ザなさんによる2024年12月9日 07:39 (UTC)の編集について、申し訳ありませんが差し戻させていただきます。

当該編集では、出典 (https://www.kioxia.com/ja-jp/rd/technology/multi-level-cell.html) が追加されて、TLC（1メモリセルあたり3ビット）なら容量はSLCの4倍、QLC（1メモリセルあたり4ビット）なら容量はSLCの8倍と書かれています。しかし、これは明らかに出典の読み違いと思われます。

出典のページを見てもTLCで容量が4倍、QLCで8倍という記述は見つからず、むしろ「多値メモリチップによるメモリ搭載容量の増加」の節に「SLCメモリチップ3個の容量が必要だった製品をTLCメモリチップ1個で実現できる」・「SLCメモリチップ4個が必要だった製品をQLCメモリチップ1個で実現することができる」と書かれており、TLCで容量が3倍、QLCで4倍になると示唆されています。このページでは同一セル数と仮定した話かどうか分かりにくいですので、二つほど他の参考ページも挙げておきます。

推測ですが、出典とされたページの図2, 3, 4で複数の山が描かれているのを見て、1セルでこれだけの情報を取れると勘違いされたのかもしれません。しかし、上の方に「実際のフラッシュメモリチップでは、非常に多くの数のメモリセルがあり、同じデータを持っていてもメモリセル毎にしきい値電圧の差が出てくるため、「1」のメモリセルのしきい値電圧は図2の(a)のように分布することになります。」と書かれているように、この図は多数のセルのしきい値電圧を集計し、ヒストグラムのように表現したものです。（縦軸が「メモリセルの数」になっているのは度数分布だからです。）図の複数の山の状態を1セルに一度に設定できるのではありません。1セルに設定できるのは一つのしきい値電圧だけです。出典とされたページで説明されているのは、例えば図4のTLCなら、セル毎に 000, 001, 010, ... 111 の8状態それぞれに対応したしきい値電圧8レベルのいずれか一つを設定できるようになっているため、1セルで3ビットの情報を記録できるということです。--ObladiOblada（会話） 2024年12月10日 (火) 15:19 (UTC)[返信]

セルあたりの記憶容量は、明確に1bitから2bit、3bit、4bitと倍々になっています。 デバイス単位では、製品ランクやメーカーで異なる可能性のある、誤り検出訂正符号の記憶容量等もあり、具体的な増加量は現在の出典では書けません。 デバイス単位で3倍なり記述するのであれば、その出典を記述したうえで追記してください。--ザな（会話） 2024年12月10日 (火) 17:25 (UTC)[返信]

まず、デバイス単位ではなくセル単位で記述する方が良いというのは妥当な方針だと思いますので、この点は同意します。ですが、セルあたりの容量の増加率については同意しません。
TLCがSLCの3倍、QLCが4倍の容量であることの出典は例えば以下が挙げられます。
データ量と、そのデータ量で表現できる状態の数を混同するのはたまに見る勘違いですが、出典として追加された https://cn.teldevice.co.jp/column/12564/ のようなメーカのコラムでは珍しい事例かと思います。
そもそも、ビットはデータ量の単位ですから、「SLCがメモリセルあたり1ビットでTLCがメモリセルあたり3ビット」と書いた時点で「TLCのセルあたりの容量はSLCの3倍」と言っていることになります。1ビット増えるたびに容量が2倍になるなら、例えば32GiBのストレージは16GiBのストレージより16GiB = 137438953472ビット大きいですから、容量は倍ということになってしまいます。この点はどうお考えでしょうか。--ObladiOblada（会話） 2024年12月11日 (水) 16:17 (UTC)[返信]

ごめんなさい、全てわたしの編集による記述内容が間違っていました。 また何度も間違った編集を繰返しまして、お詫びします。 記憶内容の状態数を、記憶容量と誤って認識し編集したようです。 （同じ勘違いによる記述かもしれませんが）2番目の出典は削除しておきます。 編集態度についても気をつけたいと思います。 丁寧なご指摘ありがとうございます。--ザな（会話） 2024年12月11日 (水) 19:55 (UTC)[返信]

ご理解いただきありがとうございます。こういった勘違いは意外と気がつきにくいものですし、メーカの人でさえ誤って書いてしまう事があるような部分ですから、あまり気になさらずに。
また、こちらも「この点はどうお考えでしょうか」など、やや強い口調になった部分があった点についてお詫びします。--ObladiOblada（会話） 2024年12月12日 (木) 14:42 (UTC)[返信]
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