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利用者‐会話:PV-BC500/過去ログ/2023年

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「MOSFET」の項目への追加記述に関して

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はじめまして！

「MOSFET」の項目にいくつか記述を追加したWind-o-Vailです。 昨日行われたいくつかの修正・追加記述について感想を述べます。


（１）2023年3月4日 (土) 04:13 追記分 (寄生ダイオードについて記述した。)

これまで触れられてなかったポイントをカバーされてよかったと思います。

（２）2023年3月4日 (土) 04:34 追記分 (→‎MOSFETの構造と特徴: ボディ（サブストレート）とソースが内部で接続されていることを記載)

これはディスクリートのMOSFETに当てはまることで、LSIに使われるMOSFETでは必ずしもそうではありません。

LSIではむしろソースとサブストレートは切り離されていて、MOSFETは4端子素子として考えられています。

（３）2023年3月4日 (土) 04:45 追記分 (構造図を適切な場所へ移動し、先頭にMOSFETの写真を追加した。)

これもディスクリートMOSFETである事が強調される事になるかと思います

（４）2023年3月4日 (土) 05:14 追記分 (→‎寄生ダイオード: 文章を分かりやすいように修正)

これもディスクリートMOSFETに関しては良い記述だと思いました。


ディスクリートMOSFETについては、「パワーMOSFET」として別に項目があるので、そちらにまとめられてはいかがでしょうか？ 現在のMOSFETの項目では微細化を念頭においた記述になっているので、このままでは読者が混乱してしまう気がします。

あるいは、この「MOSFET」の項目の前半では集積回路向けのMOSFETの記述であると断り、パワーMOSFETに関しては別の項目にリンクするとか？

よろしくご検討ください。--Wind-o-Vail（会話） 2023年3月5日 (日) 02:22 (UTC)

コメントいただきましてありがとうございました。
MOSFETの項目がLSIだけのことについて説明しているとしたらそれはそれで問題ではないでしょうか。
LSI上でもディスクリートでも同じMOSFETですので、包括的に扱うべきだと思われます。
それとディスクリートMOSFET＝全てパワーMOSFETという訳ではない[1]ので、ディスクリート部品に適用される記述を全てパワーMOSFETに集めるのも疑問です。
提案ですが、以下のようにしてはいかがでしょうか。
  1. 最上部の写真は削除する。
  2. 私が記述した点についてはあくまでもディスクリートにおける記述であることを強調する。
よろしくお願いいたします。--PV-BC500（会話） 2023年3月5日 (日) 03:07 (UTC)
早速のご返事ありがとうございます。
  1. MOSFETの項目がLSIだけのことについて説明しているとしたらそれはそれで問題ではないでしょうか。
確かにその通りですね。最初に集積回路のMOSFETとディスクリートのMOSFETがある事を示した方が良いですね。
ただ、この「MOSFET」の項目の一番下の方に「パワーMOSFET」と言う項があるのでそれを含めると3種類の「MOSFET」がある事になりますので、なかなかやっかいです。
あまり良いアイデアがないので、そのへんのところお任せしてもよろしいでしょうか？--Wind-o-Vail（会話） 2023年3月5日 (日) 15:48 (UTC)
とりあえず修正しておきました。ご確認ください。--PV-BC500（会話） 2023年3月6日 (月) 00:40 (UTC)

「エンハンスメントモードn型MOSFETの特性図」について

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この項目、頻繁に更新されていて充実した項目になっていますね。

最近追加された下図について質問があります。

https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/8/8a/MOSFET_enhancement-mode_n-channel_en.svg

この左側の図ではVdsが指定されてませんが、最初から飽和領域でのドレイン電流のグラフになっているので、Vds>Vgs-Vthが常に成り立っていると考えますが、このドレイン電流のグラフの上側が飽和領域、下側が線形領域と言うのはどういう意味でしょうか？

このグラフの出典はhttps://en-two.iwiki.icu/wiki/Field-effect_transistor#n-channel_FET だと思うのですがVgsの向きも逆だし、これはこれで意味不明な気がします。 どうお考えでしょうか？

提案としては、左側の図は削除して右側だけ使うのはどうでしょうか？


--Wind-o-Vail（会話） 2023年5月9日 (火) 16:20 (UTC)

おはようございます。
今朝、英語版の図をもう一度確認したら、キャプションが「I–V characteristics and output plot of a JFET n-channel transistor.」となっていて、MOSFETではなく、JFETの図だったことが分かりました。JFETのことは良く知りませんが、NMOSロジックの項で参照するのは混乱すると思います。
以上、取り急ぎ…--Wind-o-Vail（会話） 2023年5月10日 (水) 00:49 (UTC)
  1. この項目とはどの項目でしょうか？NMOSロジックのことをおっしゃっているのでしょうか？
  2. 私がNMOSロジックで使っている図はFile:MOSFET enhancement-mode n-channel en.svgであってJFETの図は使っていません。
  3. その図の下の方に「ファイルの使用状況」という項目があってそこに「File:JFET n-channel en.svg」という表示がありますが、それはFile:JFET n-channel en.svgというページから参照されていると言うことです。
--PV-BC500（会話） 2023年5月10日 (水) 01:53 (UTC)
遅くなりましたが以下お答えします。
１）はい、NMOSロジックのことです
２）失礼しました。違う図を見てました。
３）出典に関しては私の間違いでした。
問題は、この図の左側のIds-Vgsの図ですが、この時のVdsが指定されていないとあまり意味がないと思います。二次曲線と言う事で飽和領域にある事は分かりますが、この曲線の上下で飽和・線形と区別されるわけではないと思います。
描かれているVgsの全領域でIdsが二次曲線なので、Vdsが十分高いことは分かるのですが、この曲線の下側が線形領域であるとは言えないと思います
私はこの図を見て、非常に違和感を感じました。
ま、だからと言って何か弊害がある訳でもないので放置でも構いません。
失礼しました。--Wind-o-Vail（会話） 2023年5月13日 (土) 02:52 (UTC)
少し探してみたら、正しく描かれた図を見つけました。
「【補足】『伝達特性(ID-VGS特性)』における3つの領域」
bit.ly/3BkOkjl
この図であれば理解できます。--Wind-o-Vail（会話） 2023年5月13日 (土) 03:17 (UTC)
ウィキメディア・コモンズに他の適切な図もないので、現時点において図を変えるつもりはありません。
よろしくお願いいたします。--PV-BC500（会話） 2023年5月14日 (日) 08:33 (UTC)
ご返信ありがとうございました。
お考えは了解しました。 しかし、この図の左半分は明らかに間違いです。
失礼しました。--Wind-o-Vail（会話） 2023年5月15日 (月) 01:24 (UTC)
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