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eDRAM

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』
DRAM混載LSIから転送)


eDRAM(Embedded DRAM)、混載DRAMは、メインのASICプロセッサと同じダイまたはパッケージに統合された、キャパシタベースのDRAMである。

概要

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外部DRAMモジュールや、主にキャッシュとして使われるトランジスタベースのSRAMと対比される。 DRAMを混載することで、バス幅を広げ、処理速度を向上させることができる。DRAMはSRAMに比べて集積度が高いため、潜在的にはより大容量のメモリを使用可能である。しかし、製造工程の違いにより単一ダイへの統合は難しく、複数のダイを1チップに封入する必要があるため、コストを押し上げる要因となっている。最近では、1T-SRAMなどのように、標準CMOSプロセスを使ってeDRAMを製造することで、この問題を回避しつつある。

「eDRAM」を搭載しているプロセッサ

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「eDRAM」を搭載している機器

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ゲーム機 (家庭用ゲーム機
パーソナルコンピュータ
  • Intel 810DC(チップセット内蔵グラフィックに4MBのeDRAMを搭載)
  • YAMAHA YMF704C(DSPに1MBのeDRAMを搭載)

など。

脚注

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  1. ^ 「Intel Iris (Plus) Graphics xxx」(xxxの中には任意の数字が入る)という表記で、Grahicsの表記の後に数字が入るIrisがeDRAM搭載となる。数字のないIrisはeDRAM非搭載。

出典

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関連項目

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外部リンク

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